品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥58.42123 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.42123 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥56.33528 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.33528 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥36.28693 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.28693 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥506.62637 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥506.62637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥185.14301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥185.14301 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥125.12834 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥125.12834 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥37.44579 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.44579 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥78.77378 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.77378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥43.76160 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.76160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥67.67766 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.67766 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-LFBGA (13x11) | ¥28.16040 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.16040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥121.26063 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.26063 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥65.88142 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.88142 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥14.06571 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.06571 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥26.21930 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.21930 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥61.11350 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.11350 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥130.82126 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130.82126 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 266兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥55.35024 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.35024 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥97.95298 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.95298 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥20.42498 | 6074 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 |