品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥64.04172 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.04172 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥12.95031 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.95031 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥51.27973 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.27973 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥41.24107 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.24107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥48.97649 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.97649 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥22.51093 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.51093 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥121.50689 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.50689 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥44.55832 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.55832 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-FCBGA (11x18.5) | ¥231.00505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥231.00505 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥23.24971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.24971 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥26.53799 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.53799 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥117.21909 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117.21909 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥29.05852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.05852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥124.86760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥124.86760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 275兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥11.24098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.24098 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥88.79795 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.79795 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥46.32559 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.32559 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (13x15) | ¥31.31830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.31830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥39.95184 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.95184 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥624.78704 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥624.78704 | 添加到BOM 立即询价 |