品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥18.28108 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.28108 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥213.28892 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥213.28892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥56.33528 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.33528 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥50.62787 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.62787 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥18.32454 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.32454 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥59.07309 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.07309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥13.28348 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.28348 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥23.75671 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.75671 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥78.52752 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.52752 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥53.85820 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.85820 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥196.49988 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥196.49988 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥48.51294 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.51294 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥35.09701 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.09701 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥242.33295 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥242.33295 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥20.03386 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.03386 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥28.18937 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.18937 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥72.83460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.83460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥44.76112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.76112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥38.19906 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.19906 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥27.16088 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.16088 | 添加到BOM 立即询价 |