品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥150.18877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥150.18877 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥33.40426 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.40426 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥14.63066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.63066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5) | ¥58.81235 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.81235 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥129.06848 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.06848 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5) | ¥32.49165 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.49165 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥80.99011 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.99011 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥278.25773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥278.25773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5) | ¥73.77618 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.77618 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥66.28702 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.28702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥23.71326 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.71326 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥55.58202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.58202 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (10.5x13) | ¥22.07636 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.07636 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥39.28549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.28549 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥153.85368 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥153.85368 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥24.97352 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.97352 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥8.41625 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.41625 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥16.05027 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.05027 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥51.52599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.52599 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥59.13104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.13104 | 添加到BOM 立即询价 |