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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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IS46TR16128BL-15HBLA2-TR
IS46TR16128BL-15HBLA2-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥42.63171

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IS61NLP204818A-166TQ
IS61NLP204818A-166TQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥82.39523

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IS61NLP204818A-166TQ-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥38.60466

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IS63WV1288DBLL-10KLI
IS63WV1288DBLL-10KLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥38.77849

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IS63WV1288DBLL-10KLI-TR
IS63WV1288DBLL-10KLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

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IS64WV25616EDBLL-10BA3
IS64WV25616EDBLL-10BA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥47.15128

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IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥37.51822

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IS66WV1M16DBLL-70BLI
IS66WV1M16DBLL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥72.41451

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IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥19.33854

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IS66WV51216EBLL-55BLI
IS66WV51216EBLL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥23.07588

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IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥79.10695

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IS66WVE1M16EBLL-55BLI
IS66WVE1M16EBLL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥51.51151

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IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR
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存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥97.56186

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IS66WVE4M16ALL-70BLI
IS66WVE4M16ALL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥55.84276

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IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥96.76514

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IS66WVE4M16EBLL-55BLI
IS66WVE4M16EBLL-55BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥23.24971

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IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥26.68284

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IS42R32800J-7TLI
IS42R32800J-7TLI
IC SDRAM 256M 133MHZ 90BGA

¥11.89284

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IS42RM32200M-6BLI
IS42RM32200M-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥558.96357

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IS42RM32200M-6BLI-TR
IS42RM32200M-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

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