品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-LFBGA（10x14） | ¥56.72639 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.72639 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥17.06427 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.06427 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥23.46700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.46700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-LFBGA（10x14） | ¥77.35209 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.35209 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥8.95222 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.95222 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-LFBGA（10x14） | ¥100.87911 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥100.87911 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥443.07717 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥443.07717 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥20.30909 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.30909 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥25.97304 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.97304 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥22.33710 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.33710 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥56.14696 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.14696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥6.64898 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.64898 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥77.91912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.91912 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥881.86653 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥881.86653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥80.23685 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.23685 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥70.34305 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.34305 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥34.31686 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.31686 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥33.70846 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.70846 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥83.81484 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.81484 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥43.45740 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.45740 | 添加到BOM 立即询价 |