品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥66.86645 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.86645 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥54.58249 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.58249 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥38.03971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.03971 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥26.92910 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.92910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥46.97745 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.97745 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥77.64389 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.64389 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-VVSOP | ¥193.61720 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥193.61720 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥81.38122 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.38122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥35.11358 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.11358 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥2.79576 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.79576 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥12.96479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥43.64572 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.64572 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5) | ¥54.04652 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.04652 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥149.81214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149.81214 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥15.52878 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.52878 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥125.46151 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥125.46151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥21.78664 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.78664 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥60.99970 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.99970 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥9.63306 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.63306 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥17.10773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.10773 | 添加到BOM 立即询价 |