Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥43.99338 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.99338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥47.42651 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.42651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥29.89869 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.89869 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥33.27388 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.27388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥33.43323 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.43323 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥51.67085 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.67085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥79.25181 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.25181 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥70.33725 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.33725 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥25.56744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.56744 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥203.19232 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥203.19232 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 | ¥128.24279 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.24279 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥47.33959 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.33959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 | ¥42.15368 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.15368 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 | ¥52.27925 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.27925 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥78.48406 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.48406 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥29.50758 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.50758 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥21.55487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.55487 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 | ¥32.37576 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.37576 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥21.30861 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.30861 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ | ¥121.37652 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.37652 | 添加到BOM 立即询价 |