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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.58266

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,142.04610

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NSVBA114EDXV6T1G
NSVBA114EDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.64916

96000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,109.12409

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MUN5335DW1T1
MUN5335DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.37439

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥332.83538

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NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥3.24581

1501

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.24581

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NSVBC123JPDXV6T1G
NSVBC123JPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.64916

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,596.64400

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NSBA124EDXV6T5G
NSBA124EDXV6T5G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.49355

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.49355

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MUN5211DW1T1
MUN5211DW1T1
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.37704

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.37704

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NSVBC124XPDXV6T1G
NSVBC124XPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,332.36000

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MUN5311DW1T1
MUN5311DW1T1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.36065

11750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,080.92165

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NSVBC143TPDXV6T1G
NSVBC143TPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,332.36000

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NSVBC143ZPDXV6T5G
NSVBC143ZPDXV6T5G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,664.72000

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NSTB1002DXV5T1
NSTB1002DXV5T1
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、200毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 500mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-553

¥2.16299

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.16299

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NSVBC144EPDXV6T1G
NSVBC144EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.64916

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,109.12409

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NSBC114EDXV6T1G
NSBC114EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.65493

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.65493

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NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 339mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,332.36000

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NSVBA143ZDXV6T1G
NSVBA143ZDXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,332.36000

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NSVBC124XDXV6T1G
NSVBC124XDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,332.36000

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MUN5233DW1T1G
MUN5233DW1T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥0.22144

17470

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22144

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NSVBC143ZDXV6T1G
NSVBC143ZDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.83309

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,332.36000

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NSTB1004DXV5T1G
NSTB1004DXV5T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553

¥1.86439

9000

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合计: ¥1.86439

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