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NSTB1002DXV5T1
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NSTB1002DXV5T1

  • 描述:晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、200毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 500mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-553
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥2.16299
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.16
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 特征频率 250MHz
  • 最大功率 500mW
  • 安装类别 表面安装
  • 发射极电阻 (R2) 47kOhms
  • 部件状态 过时的
  • 基极电阻 (R1) 47kOhms
  • 晶体管类别 1个NPN预偏置,1个PNP
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安、200毫安
  • 包装/外壳 SOT-553
  • 集电极击穿电压 50V, 40V
  • 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V / 100 @ 1毫安, 10V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安/40mV@5毫安,50毫安
  • 供应商设备包装 SOT-553

NSTB1002DXV5T1 产品详情

双双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的单个晶体管,该网络由两个电阻器组成:一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器。这些数字晶体管被设计为取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这通过将这些单独的组件集成到单个设备中消除了这些组件。在NSTB1002DXV5T1系列中,SOT?553封装中容纳了两个互补的器件,这是低功耗表面安装应用的理想选择,因为电路板空间非常大。


(图片:引出线)

NSTB1002DXV5T1所属分类:预偏置双极晶体管阵列,NSTB1002DXV5T1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSTB1002DXV5T1价格参考¥2.162990,你可以下载 NSTB1002DXV5T1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSTB1002DXV5T1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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