特色
- 减少组件数量
- 减少电路板空间
- 简化电路设计
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
- S前缀用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格和PPAP能力
MUN5233DW1T1G
- 描述:晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.22235 | 0.22235 |
| 100+ | 0.20787 | 20.78710 |
| 1000+ | 0.19266 | 192.66100 |
- 库存: 17470
- 单价: ¥0.22236
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.22
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 特征频率 -
- 安装类别 表面安装
- 基极电阻 (R1) 4.7kOhms
- 发射极电阻 (R2) 47kOhms
- 晶体管类别 2 NPN-预偏置（双）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V
- 最大功率 250mW
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@1毫安，10毫安
MUN5233DW1T1G 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
MUN5233DW1T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MUN5237DW1T1G | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN DUAL 50V SC88-6 | ¥0.28972 |
| MUN2237T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 50V SC59 | ¥0.14486 |
 | MUN2112T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.36215 |
 | MUN2113T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
 | MUN2114T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
 | MUN2215T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN2232T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN2234T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN2240T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14486 |
| MUN5111T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 | ¥0.28972 |
MUN5233DW1T1G所属分类：预偏置双极晶体管阵列，MUN5233DW1T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MUN5233DW1T1G价格参考￥0.222357，你可以下载 MUN5233DW1T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MUN5233DW1T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
