特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
MUN5335DW1T1
- 描述:晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 385mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 889
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.37483 | 0.37483 |
| 200+ | 0.14505 | 29.01120 |
| 500+ | 0.13995 | 69.97900 |
| 1000+ | 0.13743 | 137.43800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.37483
-
数量:
- +
- 总计: ¥124.42
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
- 集电极最大截止电流 500nA
- 特征频率 -
- 安装类别 表面安装
- 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
- 发射极电阻 (R2) 47kOhms
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V
- 最大功率 385mW
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
MUN5335DW1T1 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
MUN5335DW1T1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MUN5237DW1T1G | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN DUAL 50V SC88-6 | ¥0.28886 |
| MUN2237T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 50V SC59 | ¥0.14443 |
 | MUN2112T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.36107 |
 | MUN2113T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.14443 |
 | MUN2114T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 | ¥0.14443 |
 | MUN2215T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14443 |
| MUN2232T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14443 |
| MUN2234T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14443 |
| MUN2240T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 | ¥0.14443 |
| MUN5111T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 | ¥0.28886 |
MUN5335DW1T1所属分类：预偏置双极晶体管阵列，MUN5335DW1T1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MUN5335DW1T1价格参考￥0.374834，你可以下载 MUN5335DW1T1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MUN5335DW1T1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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