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NSTB1002DXV5T1G是TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55,包括NSTB1002DX V5系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000099盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于SOT-553,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-553供应商设备包。此外,该配置为双公共基极和集电极,该设备的最大功率为500mW,该设备具有1个NPN预偏置、1个晶体管型PNP,集电极Ic最大值为100mA、200mA,集电极-集电极击穿最大值为50V、40V,电阻器基极R1欧姆为47k,电阻器-集电极基极R2欧姆为47k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA,10V/100@1mA,10V,Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μA,10mA/400mV@5mA,50mA,集流器截止最大值为500nA,频率转换为250MHz,Pd功耗为357mW,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,在NPN时,集电极-发射极电压VCEO Max为50 V,PNP时为40 V,晶体管极性为NPN PNP,连续集电极电流为-0.2 A,DC集电极基极增益hfe Min为80,NPN时典型输入电阻为47 kΩ,NPN下典型电阻比为1,NPN 200 mA时峰值DC集电极电流是100 mA。
NSTB1002DXV5T1是TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55,包括50V、40V集电极-发射极击穿最大值,设计用于在250mV@300μa、10mA/400mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于1 NPN预偏置、1 PNP的晶体管类型,电阻发射极基极R2欧姆设计为在47k和47k电阻基极R1欧姆下工作,该器件也可以用作500mW最大功率。此外,封装为磁带和卷轴(TR),该器件采用SOT-553封装盒,该器件具有安装型表面安装,频率转换为250MHz,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA,10V/100@1mA,10V,集电器Ic最大值为100mA、200mA,集电器截止值最大值为500nA。
NSTB1003DXV5T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553,包括表面安装型,设计用于SOT-553封装盒,数据表说明中显示了用于磁带和卷轴(TR)的包装,该磁带和卷轴提供供应商设备封装功能,如SOT-553,晶体管型设计用于1 NPN,1 PNP-预偏置(双)。