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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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描述
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GBU8K
GBU8K
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 8 A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.36789

0

2-3 工作日

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合计: ¥2.36789

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GBU8J
GBU8J
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 600 V 整流平均值 (Io): 8 A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.08985

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.08985

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GBU8M
GBU8M
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 1千伏 整流平均值 (Io): 8 A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.80555

674

2-3 工作日

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合计: ¥1.80555

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DB105S
DB105S
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 600 V 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: DB-S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.36017

150000

2-3 工作日

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合计: ¥0.36017

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GBU4K
GBU4K
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 2.8 A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.29186

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥64.59315

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GBU4M
GBU4M
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 1千伏 整流平均值 (Io): 4A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.19605

0

2-3 工作日

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合计: ¥1.19605

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GBU15M
GBU15M
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 1千伏 整流平均值 (Io): 15A 供应商设备包装: GBU 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.16390

0

2-3 工作日

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合计: ¥8,729.24250

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DB104S
DB104S
二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 400伏 整流平均值 (Io): 41毫安 供应商设备包装: DBS 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.36017

0

2-3 工作日

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合计: ¥1,440.67600

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S3MC
S3MC
二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 1000伏 整流平均值 (Io): 3A 供应商设备包装: SMC 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度

¥0.21855

10

2-3 工作日

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合计: ¥655.63800

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LR24C32D
LR24C32D
存储容量:32Kbit 时钟频率(fc):400kHz~1MHz

¥0.71464

0

2-3 工作日

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合计: ¥0.71464

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LR24C08D
LR24C08D
暂无

¥0.64797

0

2-3 工作日

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合计: ¥0.64797

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LP2305DSLT1G
LP2305DSLT1G
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@4.5V,3.5A

¥0.32279

85

2-3 工作日

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合计: ¥0.32279

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LBSS84LT1G
LBSS84LT1G
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@5V,100mA

¥0.10280

2056

2-3 工作日

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合计: ¥0.10280

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L2N7002LT1G
L2N7002LT1G
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA

¥0.08843

29306

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08843

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LBSS138LT1G
LBSS138LT1G
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@5V,200mA

¥0.12725

47302

2-3 工作日

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合计: ¥0.12725

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LP2301LT1G
LP2301LT1G
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,2.8A

¥0.19626

2900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19626

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LBSS123LT1G
LBSS123LT1G
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):170mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6Ω@10V,100mA

¥0.10065

23036

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10065

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L2N7002SLT1G
L2N7002SLT1G
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):320mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,500mA

¥0.06614

29620

2-3 工作日

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合计: ¥0.06614

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LP2301BLT1G
LP2301BLT1G
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,2.8A

¥0.18116

2845

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18116

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LN2302LT1G
LN2302LT1G
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@4.5V,2.8A

¥0.23652

145

2-3 工作日

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合计: ¥0.23652

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