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L2N7002LT1G
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L2N7002LT1G

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA
  • 品牌: 乐山无线电 (LRC)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.08875 0.08875
100+ 0.08081 8.08180
1000+ 0.07288 72.88100
  • 库存: 29306
  • 单价: ¥0.08876
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.09
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 60V
  • 连续漏极电流(Id) 115mA
  • 功率(Pd) 300mW
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
L2N7002LT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),L2N7002LT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L2N7002LT1G价格参考¥0.088756,你可以下载 L2N7002LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L2N7002LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

乐山无线电 (LRC)

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