LP2305DSLT1G
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@4.5V,3.5A
- 品牌: 乐山无线电 (LRC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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- 贸泽
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| 1+ | 0.32399 | 0.32399 |
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 12V
- 连续漏极电流(Id) 4A
- 功率(Pd) 1.1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 68mΩ@4.5V,3.5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA
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LP2305DSLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，LP2305DSLT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。LP2305DSLT1G价格参考￥0.323994，你可以下载 LP2305DSLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询LP2305DSLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
乐山无线电 (LRC)
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