品牌介绍
乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司，是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年，合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元，已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线，产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天，达到世界先进水平；品质达到并超过六个西格玛标准；市场需求量超越产量，达到零库存目标；超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：380mW | ¥0.30105 | 19770 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.30105 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：380mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.44Ω@10V,500mA | ¥0.28850 | 3480 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28850 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA | ¥0.09234 | 2520 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09234 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA (With ESD) | ¥0.18293 | 22080 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.18293 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω@10V,500mA | ¥0.07864 | 165111 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07864 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：215mΩ@10V,1.8A | ¥0.36288 | 11942 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36288 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,4.2A | ¥0.41992 | 5380 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.41992 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,5.8A | ¥0.40128 | 3330 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.40128 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：380mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA | ¥0.12265 | 2029 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12265 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,500mA | ¥0.12265 | 2319 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12265 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：69mΩ@4.5V,2.8A | ¥0.28858 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28858 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,100mA | ¥0.28874 | 7940 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.28874 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)：3V@2V,300mA 集电极电流(Ic)：350mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)：1.3V@500uA,350mA 开态输入电流(Ii@Vi)：930uA@3.85V | ¥1.22466 | 1350 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.22466 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.06421 | 1019 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06421 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：225mW | ¥0.09451 | 2920 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09451 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：225mW | ¥0.08051 | 7100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08051 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.09162 | 2740 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09162 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.05772 | 3030 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.05772 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：225mW | ¥0.15088 | 6980 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15088 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：2个NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V | ¥0.10894 | 4350 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10894 | 立即购买 加入购物车 |