品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥136.89081 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥136.89081 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥35.02666 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.02666 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥107.71721 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,466.26914 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥37.47477 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.47477 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥36.43179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.43179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥465.92127 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥465.92127 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥7.27187 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.27187 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥63.53472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.53472 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥63.12912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.12912 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥39.87941 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.87941 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥71.48742 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.48742 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥29.69589 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.69589 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥66.30151 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.30151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥39.99529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.99529 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥72.61732 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.61732 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥51.62739 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.62739 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥32.98417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.98417 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥145.24912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.24912 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥67.04028 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.04028 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-BGA (13x8) | ¥45.91999 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.91999 | 添加到BOM 立即询价 |