品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥76.39811 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.39811 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥161.37181 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥161.37181 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥75.92008 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.92008 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-MiniBGA (8x13) | ¥116.59620 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥116.59620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥495.32745 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥495.32745 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥45.03635 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.03635 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥64.43284 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.43284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥70.14024 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.14024 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥146.30658 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥146.30658 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥32.31782 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.31782 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥48.35360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.35360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.77180 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74,429.49000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥29.66692 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.66692 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥19.39649 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.39649 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥52.30822 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.30822 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥51.33768 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.33768 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥209.88476 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥209.88476 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥29.72486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.72486 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥23.10485 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.10485 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥21.84459 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.84459 | 添加到BOM 立即询价 |