品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥111.29440 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111.29440 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥48.62883 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.62883 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥33.73743 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.73743 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥19.75863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.75863 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥38.12663 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.12663 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥23.36560 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.36560 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥30.50710 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.50710 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥157.35925 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥157.35924 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥36.18553 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.18553 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥5.67843 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.67843 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥27.10293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.10293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥69.22764 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.22764 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥98.30064 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.30064 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥228.12238 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥228.12238 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥230.41114 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥230.41114 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥37.02571 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.02571 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 36-miniBGA (8x10) | ¥31.21690 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.21690 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥36.69253 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.69253 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥37.75000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.75000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥19.55583 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.55583 | 添加到BOM 立即询价 |