品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥32.04983 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.04983 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥72.11031 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.11031 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥10.87884 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.87884 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥23.27868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.27868 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-BGA (13x8) | ¥166.63016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥166.63016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥44.31206 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.31206 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.71V～1.89V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥155.73684 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥155.73684 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥45.86204 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.86204 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-BGA (13x8) | ¥26.19033 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.19033 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥25.84267 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.84267 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-BGA (13x8) | ¥33.62154 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.62154 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 144-MiniBGA (12x12) | ¥5.79432 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.79432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥118.68216 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥118.68216 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-MiniBGA (12x12) | ¥10.98024 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.98024 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥108.45337 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52,057.61952 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-BGA (13x8) | ¥42.11022 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.11022 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-BGA (13x8) | ¥470.80299 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥470.80299 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥17.67268 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.67268 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥39.76352 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.76352 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA（14x22） | ¥56.34976 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.34976 | 添加到BOM 立即询价 |