
Microchip Technology Incorporated(纳斯达克股市代号:MCHP)是全球领先的单片机和模拟半导体供应商,为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的产品上市时间。 Microchip公司自成立以来,就密切关注嵌入控制半导体产品市场。为了占领市场,集中了所有的技术、设计、生产、销售等各方面资源发展了两大拳头产品:PIC8位单片机(MCU)和高品质的串行EEPROM。到目前为止,Microchip公司已推出微控制器外围设备、模拟产品、RFID智能卡、KEELOQ保安产品,可设计出更全面,更具价值的嵌入控制系统方案,以满足用户日益增长的需求 。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 5 W 供应商设备包装: TO-204AA (TO-3) | ¥849.28950 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥84,928.95040 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 5 W 供应商设备包装: TO-204AA (TO-3) | ¥3,383.59032 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥338,359.03180 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 500 µA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-66 (TO-213AA) | ¥243.85072 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24,385.07200 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 150伏 最大功率: 1 W 供应商设备包装: TO-33 | ¥251.07071 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥25,107.07100 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 500 µA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-66 (TO-213AA) | ¥292.12061 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,212.06140 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 530毫安 (Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.64973 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.64973 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.70790 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.70790 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.57004 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.57004 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 6 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 270mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.12700 | 65 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.12700 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安(Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB (SOT23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥5.88631 | 24 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.88631 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.18205 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.18205 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.75569 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.75569 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.89766 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.89766 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 134毫安(Tj) 最大功耗: 360mW (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB (SOT23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.49905 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.49905 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.78589 | 15 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.78589 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 310毫安 (Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.19364 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.19364 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.76342 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.76342 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 90 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.11953 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.11953 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85毫安 (Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB (SOT23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥6.66781 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.66781 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安(Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB (SOT23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.34768 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.34768 | 立即购买 加入购物车 |