这种增强型（常关）晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。
特色
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低CISS和快速切换速度
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
VN3205N3-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A（Tj） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.65985 | 10.65985 |
- 库存: 10
- 单价: ¥10.65986
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
- 最大功耗 1W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 包装/外壳 至226-3，至92-3（至226AA）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 300 pF @ 25 V
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A（Tj）
- 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 3A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@10毫安
VN3205N3-G 产品详情
VN3205N3-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | VN30-2019 | 芯曲连接器 (Cinch) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: n型 触点端接: 压接或焊接 | ¥82.09761 |
| VN30-2020 | 芯曲连接器 (Cinch) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: n型 最大频率: 11 GHz 阻抗值: 50欧姆 触点端接: 压接或焊接 | ¥255.52216 |
| VN30-2021 | 芯曲连接器 (Cinch) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: n型 触点端接: 压接或焊接 | ¥1,402.71122 |
| VN30-2031 | 芯曲连接器 (Cinch) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: n型 最大频率: 11 GHz 阻抗值: 50欧姆 触点端接: 压接 | ¥273.76447 |
| VN30-2050 | 芯曲连接器 (Cinch) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: n型 最大频率: 11 GHz 阻抗值: 50欧姆 触点端接: 压接 | ¥41.58959 |
| VN30-2051 | 芯曲连接器 (Cinch) | 连接端子种类: 插座插座 连接端子样式: n型 最大频率: 11 GHz 阻抗值: 50欧姆 触点端接: 压接 | ¥234.10727 |
| VN3205N3-G | 美国微芯 (MICROCHIP) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A（Tj） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.65986 |
 | VN3205N8-G | 微芯 (Microchip) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Tj） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.40189 |
 | VN3 | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | 种类: 液体 输出类别: 转发 工作温度: 0摄氏度~90摄氏度 | ¥1,492.5528 |
 | VN31-E | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 5.5V ~ 26V 供应商设备包装: 5-PENTAWATT | ¥4.95419 |
VN3205N3-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，VN3205N3-G 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。VN3205N3-G价格参考￥10.659855，你可以下载 VN3205N3-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询VN3205N3-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国微芯 (MICROCHIP)
Microchip Technology Incorporated（纳斯达克股市代号：MCHP）是全球领先的单片机和模拟半导体供应商，为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更...
