9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N6351，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N6351参考价格33.39000美元。Microchip Technology 2N6351封装/规格：NPN晶体管。您可以下载2N6351英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N6348AG是TRIAC 600V 12A TO220AB，包括2N6348A系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，包装盒设计用于to-220-3，以及通孔安装类型，该设备也可作为to-220AB供应商设备包使用。此外，该配置为单一配置，该设备提供40mA电流保持Ih最大值，该设备具有600V电压关断状态，电压门触发器Vgt最大值为2V，电流门触发器Igt最大值为50mA，电流开启状态It RMS最大值为12A，电流非重复性浪涌50 60Hz Itsm为100A@60Hz，三端双向可控硅类型为标准配置，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，额定重复断开状态电压VDRM为600 V，保持电流Ih Max为40 mA，栅极触发电压Vgt为2.5 V，栅极触发电流Igt为75 mA，非重复接通状态电流为100 A，断开状态漏电流VDRM IDRM为10 uA，并且导通状态电压为1.75V。
2N6349AG是TRIAC 800V 12A TO220AB，包括800V电压关断状态，它们设计用于2V电压门触发器Vgt Max，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供TRIAC类型功能，如标准，供应商设备包设计用于to-220AB，以及2N6349A系列，该器件也可以用作800V额定重复关断状态电压VDRM。此外，封装是散装的，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有1.75 V的导通电压，关断泄漏电流VDRM IDRM为10 uA，非重复导通电流为100 a，安装类型是通孔，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-40 C，它的最大工作温度范围为+125 C，保持电流Ih Max为40 mA，栅极触发电压Vgt为2.5 V，栅极触发电流Igt为75 mA，电流开启状态it RMS Max为12A，电流非重复#浪涌50 60Hz Itsm为100A@60Hz，电流保持Ih Max是40 mA，电流栅极触发Igt Max是50 mA，配置为单一。
2N6350是由Microsemi制造的达林顿晶体管NPN达林顿晶体管。2N6350采用CAN封装，是晶体管（BJT）阵列的一部分，并支持达林顿晶体管NPN达林顿晶体管、双极（BJT晶体管）晶体管、Trans达林顿NPN 80V 5A 1000mW 4引脚TO-33。
