这种低阈值、增强型（常关）晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低CISS和快速切换速度
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
TN2106N3-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.18205 | 4.18205 |
- 库存: 10
- 单价: ¥4.18205
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.18
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 包装/外壳 至226-3，至92-3（至226AA）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 2.5欧姆@500毫安，10V
- 最大功耗 740mW (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Tj)
TN2106N3-G 产品详情
TN2106N3-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TN2A | 辛奇互连 (Cinch) | 适配装置种类: 插头到插孔 中心公母头: 母接头对公接头 输入端接口: TRB Twinaxial/Triaxial (Concentric ) Plug, Male Pin 输出端接口: TRB Twinaxial/Triaxial (Concentric) Jack, Female Socket (2) 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥1,058.62226 |
 | TN2 | 辛奇互连 (Cinch) | 适配装置种类: 插头到插孔 中心公母头: 母接头对公接头 输入端接口: TRB Twinaxial/Triaxial Jack, Female Socket 输出端接口: TRB Twinaxial/Triaxial Plug, Male Pin (2) 最大频率: 500 MHz 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥1,343.25375 |
 | TN28F010-120 | 罗切斯特电子 (Rochester) | IC MCU FLASH | ¥414.29388 |
 | TN2010H-6FP | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 敏感门 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 20A 最大通态平均电流 (It (AV)): 12.7 A 供应商设备包装: TO-220FPAB 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.49163 |
 | TN2015H-6I | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 600 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 20A 最大通态平均电流 (It (AV)): 13 A 供应商设备包装: TO-220AB Insulated 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.69541 |
 | TN22-1500T | 意法半导体 (STMicroelectronics) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 400伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 2A 最大通态平均电流 (It (AV)): 1.8 A 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 | ¥9.04864 |
| TN2313 | TEMPERATURE SENSOR, 2XPNP/NPN/AN | ¥0.00 | |
| TN2333 | TEMPERATURE SENSOR, 2 X PNP/NPN | ¥0.00 | |
| TN2343 | TEMPERATURE SENSOR, 2 X PNP/NPN | ¥0.00 | |
| TN21243 | NUT SPANNER WRENCHES, RECTANGLUL | ¥0.00 |
TN2106N3-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TN2106N3-G 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TN2106N3-G价格参考￥4.182050，你可以下载 TN2106N3-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TN2106N3-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国微芯 (MICROCHIP)
Microchip Technology Incorporated（纳斯达克股市代号：MCHP）是全球领先的单片机和模拟半导体供应商，为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更...
