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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70T653MS10BC8
70T653MS10BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,636.00348

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合计: ¥2,636,003.47900

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71T75802S200BG
71T75802S200BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69213

0

5-7 工作日

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合计: ¥23,074.13850

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70T653MS10BC
70T653MS10BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,636.00515

0

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合计: ¥47,448.09261

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71V3557S80PFG
71V3557S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥54.88308

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合计: ¥7,903.16280

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7007L15JG8
7007L15JG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥451.77212

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合计: ¥112,943.03025

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71V3557S85PFG
71V3557S85PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥33.59871

1087

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合计: ¥4,838.21352

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70V657S15BF8
70V657S15BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥826.49529

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5-7 工作日

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合计: ¥826,495.28600

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7007L20JGI8
7007L20JGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥454.00815

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合计: ¥113,502.03725

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71V3577S75BG
71V3577S75BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥33.59871

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2-3 工作日

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合计: ¥5,644.58244

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70261L20PFGI8
70261L20PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥454.00815

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2-3 工作日

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合计: ¥340,506.11175

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71T75802S200BGG
71T75802S200BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69213

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5-7 工作日

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合计: ¥23,074.13850

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70V658S12BCI8
70V658S12BCI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,240.89202

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5-7 工作日

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合计: ¥1,240,892.01500

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70T653MS10BCG
70T653MS10BCG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,636.00515

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47,448.09261

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71T75902S75BG
71T75902S75BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69213

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,074.13850

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70V658S12BFGI8
70V658S12BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,240.89202

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5-7 工作日

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合计: ¥1,240,892.01500

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70V9169L6PFG
70V9169L6PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Kb (16K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥331.31035

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2-3 工作日

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合计: ¥29,817.93105

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71256SA15TPGI
71256SA15TPGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥29.95816

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5-7 工作日

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合计: ¥8,388.28340

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70V658S12BFI8
70V658S12BFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,247.00905

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2-3 工作日

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合计: ¥1,247,009.05000

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71V3556SA100BG
71V3556SA100BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.35255

0

2-3 工作日

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合计: ¥10,475.22907

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70V9169L7PFGI
70V9169L7PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Kb (16K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥331.31035

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2-3 工作日

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合计: ¥29,817.93105

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