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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V3558SA133BQG8
71V3558SA133BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

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合计: ¥125,552.77400

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71T75802S200BGG8
71T75802S200BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69205

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合计: ¥274,692.05300

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70V639S12BFGI
70V639S12BFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2.25Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,240.89158

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合计: ¥26,058.72320

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71T75902S75BG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69205

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71V3558SA166BQG8
71V3558SA166BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

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合计: ¥125,552.77400

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70V3389S5BF8
70V3389S5BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(64K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥826.49529

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合计: ¥826,495.28600

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71T75602S166BG
71T75602S166BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69213

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70V639S12BFI
70V639S12BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2.25Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,240.89158

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71V3559S75BQ8
71V3559S75BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

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合计: ¥125,552.77400

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70V658S12BFGI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,240.89158

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71V3559S80BQG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

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合计: ¥125,552.77400

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70V658S12BFI
70V658S12BFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,232.36939

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合计: ¥25,879.75717

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70V07L25PFG
70V07L25PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 80-TQFP (14x14)

¥410.32037

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合计: ¥18,464.41683

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70V639S12BCI8
70V639S12BCI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2.25Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,240.89202

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5-7 工作日

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71V2556SA100BG
71V2556SA100BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.77653

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合计: ¥10,546.45738

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70V9369L9PFG8
70V9369L9PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (16K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥358.15192

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合计: ¥268,613.93775

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70V639S12BFGI8
70V639S12BFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2.25Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,240.89202

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5-7 工作日

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合计: ¥1,240,892.01500

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71V3556SA100BQGI
71V3556SA100BQGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥54.88308

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合计: ¥7,464.09820

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71V2556SA133BG
71V2556SA133BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.35255

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2-3 工作日

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合计: ¥10,475.22907

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71V547S100PFG
71V547S100PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥21.17654

1073

2-3 工作日

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