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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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7026L25G
7026L25G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥997.05761

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合计: ¥8,973.51853

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70V659S12DRGI
70V659S12DRGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥1,762.47645

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2-3 工作日

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合计: ¥42,299.43482

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7024S35GB
7024S35GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥3,203.65193

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5-7 工作日

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合计: ¥67,276.69059

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70V639S12BFI8
70V639S12BFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2.25Mb (128K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,240.89202

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5-7 工作日

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合计: ¥1,240,892.01500

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70V3599S133DRGI
70V3599S133DRGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥1,774.67347

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合计: ¥42,592.16316

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71V3556SA166BGG8
71V3556SA166BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥71.60087

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2-3 工作日

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合计: ¥71,600.86900

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71V547S80PFG
71V547S80PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥45.21982

1816

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合计: ¥6,511.65336

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5962-9166203MXA
5962-9166203MXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PGA (27.94x27.94)

¥2,620.39843

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5-7 工作日

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合计: ¥55,028.36711

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7130SA55CB
7130SA55CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,000.18836

0

5-7 工作日

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合计: ¥40,007.53432

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71V3556SA100BQI
71V3556SA100BQI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥54.88308

0

5-7 工作日

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合计: ¥7,464.09820

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70V3579S5BC8
70V3579S5BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥830.57218

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2-3 工作日

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合计: ¥830,572.17700

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70T3539MS133BC8
70T3539MS133BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,636.35806

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2-3 工作日

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合计: ¥2,636,358.06200

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7140SA55CB
7140SA55CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,000.18836

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40,007.53432

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71V3557S75PFG
71V3557S75PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥54.88308

102

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,903.16280

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70V3579S5BF8
70V3579S5BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥830.57218

0

2-3 工作日

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合计: ¥830,572.17700

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70V7519S200BC
70V7519S200BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,483.42959

0

2-3 工作日

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合计: ¥71,204.62032

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70T3719MS133BBG
70T3719MS133BBG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 324-PBGA (19x19)

¥2,623.42546

0

5-7 工作日

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合计: ¥52,468.50918

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71T75602S166BGG
71T75602S166BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69213

11

5-7 工作日

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合计: ¥23,074.13850

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70V657S15BC8
70V657S15BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb(32K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥830.57218

0

2-3 工作日

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合计: ¥830,572.17700

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70V7519S200BCG
70V7519S200BCG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,493.69117

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合计: ¥71,697.17621

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