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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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71V3577S85BQG
71V3577S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥33.59871

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合计: ¥4,569.42388

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70V9199L7PFG8
70V9199L7PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb (128K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥669.51489

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2-3 工作日

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合计: ¥502,136.16600

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71T75602S133PFG
71T75602S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥215.41891

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5-7 工作日

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合计: ¥15,510.16159

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7005L55GB
7005L55GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥2,706.39925

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5-7 工作日

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合计: ¥56,834.38429

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71V25761S183PFG
71V25761S183PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 183 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥54.51251

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合计: ¥7,849.80086

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71T75602S150PFG
71T75602S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥215.41891

0

5-7 工作日

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合计: ¥15,510.16159

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71V3577S75BQG
71V3577S75BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥54.88308

259

5-7 工作日

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合计: ¥7,464.09820

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70T651S15BC
70T651S15BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,803.55788

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2-3 工作日

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合计: ¥43,285.38917

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5962-8687503XA
5962-8687503XA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥1,000.18836

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5-7 工作日

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合计: ¥40,007.53432

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71T75802S133PFG
71T75802S133PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥215.41891

0

5-7 工作日

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合计: ¥15,510.16159

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70T633S15BC8
70T633S15BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,824.99716

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2-3 工作日

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合计: ¥1,824,997.15600

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5962-8687512XA
5962-8687512XA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥993.31098

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2-3 工作日

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合计: ¥39,732.43912

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71T75802S150PFG
71T75802S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥215.41891

0

5-7 工作日

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合计: ¥15,510.16159

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70T651S15BC8
70T651S15BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,816.03984

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5-7 工作日

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合计: ¥1,816,039.84000

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70V3589S133BCI8
70V3589S133BCI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,241.13393

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5-7 工作日

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合计: ¥1,241,133.92800

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70P255L65BYGI8
70P255L65BYGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 100-CABGA(6x6)

¥347.02400

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5-7 工作日

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合计: ¥1,041,071.99400

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70P255L65BYGI
70P255L65BYGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 供应商设备包装: 100-CABGA(6x6)

¥347.02422

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5-7 工作日

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合计: ¥31,232.17935

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70T651S15BF8
70T651S15BF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)

¥1,816.03984

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合计: ¥1,816,039.84000

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7006L15PFG
7006L15PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥347.62864

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合计: ¥31,286.57715

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71V67603S133PFGI8
71V67603S133PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥186.75673

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合计: ¥186,756.72800

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