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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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M30162040054X0ISAY
M30162040054X0ISAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥213.46791

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合计: ¥32,020.18590

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7005L70GB
7005L70GB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥2,237.81469

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合计: ¥46,994.10857

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71V3557S80BG
71V3557S80BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.77653

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5-7 工作日

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合计: ¥10,546.45738

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71V3577S80BQ
71V3577S80BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥54.88308

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5-7 工作日

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合计: ¥7,464.09820

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71V3557S85BG
71V3557S85BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥62.77653

817

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合计: ¥10,546.45738

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70T633S15BC
70T633S15BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,816.03948

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合计: ¥43,584.94747

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5962-8976403MYA
5962-8976403MYA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥1,508.29494

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合计: ¥51,282.02810

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M30162040054X0IWAR
M30162040054X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥214.73955

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2-3 工作日

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合计: ¥858,958.19600

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71V3577S85BG
71V3577S85BG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥54.88308

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5-7 工作日

- +

合计: ¥9,220.35660

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7142LA55C
7142LA55C
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥655.04338

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合计: ¥26,201.73512

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71V3577S85BGG
71V3577S85BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥54.88308

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5-7 工作日

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合计: ¥9,220.35660

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M10162040054X0ISAR
M10162040054X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥214.73955

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2-3 工作日

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合计: ¥429,479.09800

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M10162040054X0IWAR
M10162040054X0IWAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥214.73955

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥858,958.19600

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M30162040054X0ISAR
M30162040054X0ISAR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥214.73955

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2-3 工作日

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合计: ¥429,479.09800

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7130SA35C
7130SA35C
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥523.49871

0

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合计: ¥20,939.94820

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70V9199L7PFG
70V9199L7PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb (128K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥661.65382

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2-3 工作日

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合计: ¥31,759.38341

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M30162040054X0IWAY
M30162040054X0IWAY
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 54 MHz 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥213.46791

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2-3 工作日

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合计: ¥48,030.27885

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7130SA55C
7130SA55C
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥519.90239

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2-3 工作日

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合计: ¥20,796.09552

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71T75802S200PFGI
71T75802S200PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥341.98359

10

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合计: ¥24,622.81855

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70V9199L9PFGI
70V9199L9PFGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.125Mb (128K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥666.22758

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5-7 工作日

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合计: ¥31,978.92394

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