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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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7140LA25PFG
7140LA25PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥125.55270

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5-7 工作日

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合计: ¥33,899.22954

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71256L85DB
71256L85DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥229.57545

0

5-7 工作日

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合计: ¥29,844.80837

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71V3556SA100BQ8
71V3556SA100BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

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5-7 工作日

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合计: ¥125,552.77400

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70V7339S200BC8
70V7339S200BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,493.69095

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合计: ¥1,493,690.95400

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7164L70DB
7164L70DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥198.36847

0

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合计: ¥33,524.27194

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7140LA25PFG8
7140LA25PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥125.55277

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5-7 工作日

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合计: ¥94,164.58050

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7005L17G
7005L17G
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PGA (29.46x29.46)

¥657.23683

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5-7 工作日

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合计: ¥5,915.13142

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71256S100DB
71256S100DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥229.57545

0

5-7 工作日

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合计: ¥29,844.80837

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71V3556SA100BQG8
71V3556SA100BQG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥63.08822

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2-3 工作日

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合计: ¥126,176.43200

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70V7519S200BC8
70V7519S200BC8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,501.05393

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2-3 工作日

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合计: ¥1,501,053.93400

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71T75602S166BG8
71T75602S166BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥274.69205

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5-7 工作日

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合计: ¥274,692.05300

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5962-8976407MYA
5962-8976407MYA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-LCC (14.22x14.22)

¥2,483.09878

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2-3 工作日

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合计: ¥84,425.35866

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71256S25DB
71256S25DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥229.57545

0

5-7 工作日

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合计: ¥29,844.80837

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71V3556SA133BG8
71V3556SA133BG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥63.08822

0

2-3 工作日

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合计: ¥63,088.21600

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70V7519S200BCG8
70V7519S200BCG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,493.69095

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5-7 工作日

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合计: ¥1,493,690.95400

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71T75602S166BGG8
71T75602S166BGG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥276.05167

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2-3 工作日

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合计: ¥276,051.66800

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70T653MS12BC
70T653MS12BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥2,510.57021

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5-7 工作日

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合计: ¥45,190.26383

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71V3556SA133BQ8
71V3556SA133BQ8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥62.77639

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥125,552.77400

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70V7339S200BC
70V7339S200BC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA(17x17)

¥1,483.42959

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2-3 工作日

- +

合计: ¥35,602.31016

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7134SA70CB
7134SA70CB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-SIDE BRAZED

¥975.51361

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5-7 工作日

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合计: ¥39,020.54432

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