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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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操作
UMX1NTN
UMX1NTN
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.22670

570

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22670

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BA12004BF-E2
BA12004BF-E2
晶体管类别: 7 NPN Darlington 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 620mW 供应商设备包装: 16-SOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA)

¥76.46020

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥76.46020

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VT6X1T2R
VT6X1T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.04202

7820

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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UMZ1NFHATR
UMZ1NFHATR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.41212

165

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41212

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VT6T2T2R
VT6T2T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.11445

5470

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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QS5Y2FSTR
QS5Y2FSTR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 500mW 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.12845

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.12845

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IMT2AT108
IMT2AT108
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.25495

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25495

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UMT1NFHATN
UMT1NFHATN
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.18688

1914

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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UMX5NTR
UMX5NTR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 11伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.39908

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39908

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IMT3AT108
IMT3AT108
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.40416

1219

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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UMB10NFHATN
UMB10NFHATN
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.53502

20989

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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UML23NTR
UML23NTR
晶体管类别: NPN+齐纳二极管(隔离) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.47659

2896

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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EMX52T2R
EMX52T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.96959

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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UMY1NTR
UMY1NTR
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.74095

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.74095

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UMT1NTN
UMT1NTN
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.26292

2980

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.26292

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UMT18NTR
UMT18NTR
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.54902

2963

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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IMX25T110
IMX25T110
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.36577

280

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.36577

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EMX26T2R
EMX26T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.11445

11765

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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VT6T11T2R
VT6T11T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.62145

7990

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.62145

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VT6X11T2R
VT6X11T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.62145

7990

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.62145

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