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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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操作
UMX2NTR
UMX2NTR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.35925

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.35925

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VT6T12T2R
VT6T12T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.62145

7875

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.62145

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EMZ52T2R
EMZ52T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.46259

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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QST8TR
QST8TR
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 1.5A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.12845

8558

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.12845

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US6T8TR
US6T8TR
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 1.5A 最大功率: 400mW 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.34574

2910

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.34574

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UMX18NTN
UMX18NTN
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.41574

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.41574

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EMY1T2R
EMY1T2R
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.74392

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,951.34400

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US6X8TR
US6X8TR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 400mW 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.34574

2872

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.34574

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US6X7TR
US6X7TR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 1.5A 最大功率: 400mW 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.34574

2400

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.34574

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EMX18T2R
EMX18T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.69388

42

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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QS5Y1TR
QS5Y1TR
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.85274

2665

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.85274

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UMH5NTR
UMH5NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥2.82473

390

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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UMA3NTR
UMA3NTR
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥2.82473

364

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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EMB3FHAT2R
EMB3FHAT2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.33173

7994

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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QS5W1TR
QS5W1TR
晶体管类别: 2 NPN(双)公共发射极 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.78031

49

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.78031

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EMG1T2R
EMG1T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥3.33173

7960

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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VT6T1T2R
VT6T1T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥18.38578

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.38578

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VT6X12T2R
VT6X12T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: VMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥61.98221

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.98221

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EMH2FHAT2R
EMH2FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.33173

7914

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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EMD12FHAT2R
EMD12FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.82473

187

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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