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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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数量
操作
UMB4NFHATN
UMB4NFHATN
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.60744

2990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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EMX3T2R
EMX3T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.82089

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.82089

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EMX51T2R
EMX51T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.46259

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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EMX2T2R
EMX2T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥286.30344

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥286.30343

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UMB3NFHATN
UMB3NFHATN
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.60744

2579

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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EMX4T2R
EMX4T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥62.80904

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.80904

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UMZ1NTR
UMZ1NTR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.23902

350

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23902

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EMX5T2R
EMX5T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 11伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥23.21448

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.21448

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EMZ2T2R
EMZ2T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥128.91638

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.91638

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IMT17T110
IMT17T110
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.29334

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.29334

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IMX17T110
IMX17T110
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.21222

360

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21222

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IMX3T108
IMX3T108
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥340.63773

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥340.63773

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IMT1AT110
IMT1AT110
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.19773

2100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19773

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UMH3NFHATN
UMH3NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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FMY6T148
FMY6T148
TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT

¥205.85432

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥205.85432

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IMX1T110
IMX1T110
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.24698

279

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24698

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UMX1NFHATN
UMX1NFHATN
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.18688

15388

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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IMZ1AT108
IMZ1AT108
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.21801

480

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.21801

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EMZ51T2R
EMZ51T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.96959

6683

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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EMT51T2R
EMT51T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.96959

5813

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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