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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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BM63967S-VC
BM63967S-VC
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 30 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.327“,33.70毫米)

¥108.86079

60

5-7 工作日

- +

合计: ¥108.86079

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BM63363S-VC
BM63363S-VC
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.327“,33.70毫米)

¥135.15251

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥135.15251

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BM63964S-VC
BM63964S-VC
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.327“,33.70毫米)

¥151.66633

60

5-7 工作日

- +

合计: ¥151.66633

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BM63964S-VA
BM63964S-VA
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.134“,28.80毫米)

¥151.66633

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥151.66633

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BM63564S-VA
BM63564S-VA
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.134“,28.80毫米)

¥151.66633

39

5-7 工作日

- +

合计: ¥151.66633

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BM63364S-VC
BM63364S-VC
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.327“,33.70毫米)

¥156.08450

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥156.08450

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BM63764S-VA
BM63764S-VA
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.134“,28.80毫米)

¥109.21418

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥109.21418

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BM63767S-VC
BM63767S-VC
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 30 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.327“,33.70毫米)

¥170.42544

60

5-7 工作日

- +

合计: ¥170.42544

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BM64375S-VA
BM64375S-VA
种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 20A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 25 PowerDIP模块(1.134“,28.80毫米)

¥113.17624

2

2-3 工作日

- +

合计: ¥113.17624

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FMY1AT148
FMY1AT148
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.32810

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.32810

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IMT1AT108
IMT1AT108
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.33173

314

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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QSZ2TR
QSZ2TR
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1.5A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.60892

2546

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.60892

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IMZ4T108
IMZ4T108
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 32伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.11468

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.11468

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EMZ7T2R
EMZ7T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.69388

703

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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UMZ8NTR
UMZ8NTR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V, 12V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安、500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥376.18174

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥376.18174

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IMX4T108
IMX4T108
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.83874

824

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.83874

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QSX8TR
QSX8TR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.05602

457

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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EMT52T2R
EMT52T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.46259

4918

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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QS5W2TR
QS5W2TR
晶体管类别: 2 NPN(双)公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.82207

65

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.82207

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QS6Z5TR
QS6Z5TR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.08404

588

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.08404

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