Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥24.24364 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,564.01568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥27.85285 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,690.08920 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9) | ¥27.85285 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,690.08920 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥24.97333 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,993.59824 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥14.19314 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,812.70864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥24.97333 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,993.59824 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥20.98529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,036.46984 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥20.98529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,036.46984 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥20.98529 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,036.46984 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥22.79536 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,112.15201 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x6.5) | ¥23.18279 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,027.52436 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥9.47066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,545.91632 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥23.59207 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,360.72615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥23.66005 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,271.36480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥23.66005 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,271.36480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥23.96811 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,033.30331 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥23.96811 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,033.30331 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-VFBGA (8x12.5) | ¥19.20739 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,014.34388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.52803 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥317.52234 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9.5) | ¥19.20739 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,014.34388 | 添加到BOM 立即询价 |