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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W949D6DBHX5I
W949D6DBHX5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥34.69405

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.69405

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W25Q512JVEIQ
W25Q512JVEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥37.01795

13740

2-3 工作日

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合计: ¥37.01795

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W631GG6NB-15
W631GG6NB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥34.18915

8682

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.18915

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W631GG6NB15I
W631GG6NB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.4伏~1.6伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥40.96927

1768

5-7 工作日

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合计: ¥40.96927

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W25Q512NWEIM
W25Q512NWEIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥51.78862

0

5-7 工作日

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合计: ¥51.78862

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W25Q128JVSIM
W25Q128JVSIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥8.35180

47795

2-3 工作日

- +

合计: ¥8.35180

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W25Q128JVPIM
W25Q128JVPIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥14.20941

18091

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.20941

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W25Q128JVPIQ
W25Q128JVPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥7.94429

138199

2-3 工作日

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合计: ¥7.94429

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W9864G6KH-6
W9864G6KH-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥4.95959

10998

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.95959

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W9751G8NB-25
W9751G8NB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9.5)

¥24.30747

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.30747

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W25Q128JVEIQ
W25Q128JVEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥16.79780

42162

2-3 工作日

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合计: ¥16.79780

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W25Q01JVZEIQ
W25Q01JVZEIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥89.65635

3600

5-7 工作日

- +

合计: ¥89.65635

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W25Q40EWSNIG
W25Q40EWSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.28630

1604

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.28630

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W634GU6NB-12
W634GU6NB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(9x13)

¥74.94203

1091

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.94203

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W9812G6KH-6
W9812G6KH-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥5.82952

8881

2-3 工作日

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合计: ¥5.82952

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W25Q256JVFIQ
W25Q256JVFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥16.78730

4585

2-3 工作日

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合计: ¥16.78730

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W9751G6NB-25
W9751G6NB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-VFBGA (8x12.5)

¥12.00587

29901

2-3 工作日

- +

合计: ¥12.00587

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W25Q16JVSSIM
W25Q16JVSSIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.11135

5795

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.11135

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W9751G6NB25I
W9751G6NB25I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-VFBGA (8x12.5)

¥33.64793

14444

2-3 工作日

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合计: ¥33.64793

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W9825G6KH-6
W9825G6KH-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥7.82239

29082

2-3 工作日

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