Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥97.42140 | 22 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.42140 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥28.86560 | 306 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.86560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥97.42140 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.42140 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥39.06729 | 2242 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥39.06729 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥37.91548 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥37.91548 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥37.64323 | 1648 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥37.64323 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥20.92756 | 2956 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.92756 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥30.51248 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥30.51248 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥50.80346 | 31 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.80346 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥26.91717 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.91717 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥19.88442 | 340 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19.88442 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥6.83756 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.83756 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.11335 | 595 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.11335 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.11335 | 10506 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.11335 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥5.37162 | 11872 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.37162 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥4.76282 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.76282 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥13.54302 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.54302 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥5.12364 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.12364 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥7.14424 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.14424 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥7.28856 | 48 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.28856 | 添加到BOM 立即询价 |