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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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W25N512GVFIT
W25N512GVFIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥18.40203

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥809.68928

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W25N512GVFIG
W25N512GVFIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥18.40203

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥809.68928

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W25Q64JVTCIQ
W25Q64JVTCIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥12.03936

0

2-3 工作日

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合计: ¥5,778.89184

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W25N02KVZEIU
W25N02KVZEIU
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥34.15558

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5-7 工作日

- +

合计: ¥16,394.67936

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W25N02KVZEIR
W25N02KVZEIR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥14.89438

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,149.30048

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W25Q128JWPIQ
W25Q128JWPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥8.92085

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,084.88165

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W25N01JWSFIT
W25N01JWSFIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥26.45141

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,163.86186

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W25Q128JWPIM
W25Q128JWPIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥12.22450

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,967.96215

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W957D8MFYA5I
W957D8MFYA5I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6)

¥24.30243

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,582.35878

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W25Q16JWZPIQ
W25Q16JWZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥3.98653

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5-7 工作日

- +

合计: ¥2,272.32210

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W632GG8NB12I
W632GG8NB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥37.88147

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥9,167.31526

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W25Q128JWBIQ
W25Q128JWBIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥15.61257

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,494.03120

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W632GG8NB15I
W632GG8NB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥37.88147

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥9,167.31526

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W632GU8NB12I
W632GU8NB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥37.88147

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥9,167.31526

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W949D2DBJX5E
W949D2DBJX5E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥26.79728

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,431.34744

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W632GU8NB15I
W632GU8NB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥44.99848

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,889.63095

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W74M25JVSFIQ
W74M25JVSFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥29.31538

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,289.87672

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W25Q16JLSSIG
W25Q16JLSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥77.06997

4381

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.06997

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W25Q256JVBIM
W25Q256JVBIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥28.99103

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13,915.69248

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W9864G6JT-6I
W9864G6JT-6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥21.55861

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5-7 工作日

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合计: ¥6,877.19755

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