Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥18.40203 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥809.68928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥18.40203 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥809.68928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥12.03936 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,778.89184 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥34.15558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,394.67936 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥14.89438 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,149.30048 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥8.92085 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,084.88165 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥26.45141 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,163.86186 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥12.22450 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,967.96215 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (8x6) | ¥24.30243 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,582.35878 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥3.98653 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,272.32210 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥37.88147 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,167.31526 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥15.61257 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,494.03120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥37.88147 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,167.31526 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥37.88147 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,167.31526 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥26.79728 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,431.34744 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5) | ¥44.99848 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,889.63095 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥29.31538 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,289.87672 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥77.06997 | 4381 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.06997 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥28.99103 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,915.69248 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥21.55861 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,877.19755 | 添加到BOM 立即询价 |