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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS4C16M16D1-5BIN
AS4C16M16D1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥28.47989

480

2-3 工作日

- +

合计: ¥28.47989

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AS4C32M16D1A-5TCN
AS4C32M16D1A-5TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥34.73493

1555

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.73493

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AS4C8M16SA-6TAN
AS4C8M16SA-6TAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥25.44119

2656

2-3 工作日

- +

合计: ¥25.44119

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AS1C2M16P-70BIN
AS1C2M16P-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.6伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x7)

¥88.30023

127

2-3 工作日

- +

合计: ¥88.30023

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AS4C8M16SA-6BAN
AS4C8M16SA-6BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥29.81063

5445

2-3 工作日

- +

合计: ¥29.81063

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AS4C64M8D1-5BIN
AS4C64M8D1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x13)

¥30.46028

4282

2-3 工作日

- +

合计: ¥30.46028

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AS4C64M16D2B-25BCN
AS4C64M16D2B-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥12.66821

230

2-3 工作日

- +

合计: ¥12.66821

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AS4C16M16MSA-6BIN
AS4C16M16MSA-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-FBGA (8x8)

¥58.83538

889

2-3 工作日

- +

合计: ¥58.83538

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AS7C34096A-10JCN
AS7C34096A-10JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥32.06345

3419

2-3 工作日

- +

合计: ¥32.06345

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AS7C34098A-10JIN
AS7C34098A-10JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.33026

1039

2-3 工作日

- +

合计: ¥47.33026

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AS7C34096A-12JCN
AS7C34096A-12JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥32.06345

958

2-3 工作日

- +

合计: ¥32.06345

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AS4C256M16D3C-12BCNTR
AS4C256M16D3C-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥92.17718

8001

2-3 工作日

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合计: ¥92.17718

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AS29CF010-55CCIN
AS29CF010-55CCIN
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC(13.97x11.43)

¥28.43797

4730

2-3 工作日

- +

合计: ¥28.43797

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AS4C128M8D2A-25BCN
AS4C128M8D2A-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥46.21696

942

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.21696

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AS4C4M32S-7BCN
AS4C4M32S-7BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥38.85113

4846

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.85113

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AS4C2M32S-6BIN
AS4C2M32S-6BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥47.70748

0

2-3 工作日

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合计: ¥47.70748

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AS4C64M32MD1-5BCN
AS4C64M32MD1-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥83.12397

100

2-3 工作日

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合计: ¥83.12397

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AS4C16M16SA-6TAN
AS4C16M16SA-6TAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥49.39438

515

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.39438

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AS6C4008-55TIN
AS6C4008-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥40.58427

4547

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.58427

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AS4C128M8D3B-12BCN
AS4C128M8D3B-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥35.99279

28191

2-3 工作日

- +

合计: ¥35.99279

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