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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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AS5F34G04SND-08LIN
AS5F34G04SND-08LIN
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

¥79.30824

0

5-7 工作日

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合计: ¥79.30824

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AS7C1024B-12JCN
AS7C1024B-12JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥28.93776

158

5-7 工作日

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合计: ¥28.93776

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AS4C256M16D3C-10BIN
AS4C256M16D3C-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥63.43330

49

2-3 工作日

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合计: ¥63.43330

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AS6C2016-55ZIN
AS6C2016-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥19.01533

3942

2-3 工作日

- +

合计: ¥19.01533

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AS1C1M16PL-70BIN
AS1C1M16PL-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x7)

¥19.83207

364

2-3 工作日

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合计: ¥19.83207

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AS4C512M8D3LC-12BIN
AS4C512M8D3LC-12BIN
512M X 8, 1.35V, 800MHZ, DDR3-16

¥86.95762

170

5-7 工作日

- +

合计: ¥86.95762

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AS4C32M16D3-12BIN
AS4C32M16D3-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥30.35542

383

2-3 工作日

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合计: ¥30.35542

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AS4C16M32MD1-5BCN
AS4C16M32MD1-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥32.04125

320

2-3 工作日

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合计: ¥32.04125

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AS4C128M16D2A-25BCN
AS4C128M16D2A-25BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5)

¥96.48327

283

5-7 工作日

- +

合计: ¥96.48327

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AS4C32M16D1-5BIN
AS4C32M16D1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥44.16666

70

2-3 工作日

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合计: ¥44.16666

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AS4C128M32MD2A-25BIN
AS4C128M32MD2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥99.44199

1332

5-7 工作日

- +

合计: ¥99.44199

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AS7C4098A-12JIN
AS7C4098A-12JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥45.39116

171

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.39116

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AS6C1008-55SIN
AS6C1008-55SIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥23.16464

20668

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.16464

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MT48LC64M8A2TG-75:C
MT48LC64M8A2TG-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥111.85420

177

5-7 工作日

- +

合计: ¥111.85420

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AS7C4098A-20TIN
AS7C4098A-20TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥47.77257

120

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.77257

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AS5F14G04SND-10LIN
AS5F14G04SND-10LIN
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.98伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

¥79.30824

162

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.30824

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AS4C4M16SA-6TIN
AS4C4M16SA-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥14.99447

9419

2-3 工作日

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合计: ¥14.99447

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AS4C16M32SC-7TIN
AS4C16M32SC-7TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥135.02350

197

2-3 工作日

- +

合计: ¥135.02350

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AS4C8M16SA-7TCN
AS4C8M16SA-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥17.62269

6843

2-3 工作日

- +

合计: ¥17.62269

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AS4C256M16D4-75BIN
AS4C256M16D4-75BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥89.84418

798

5-7 工作日

- +

合计: ¥89.84418

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