品牌介绍
Alliance Memory，Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器（DSP）和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM；同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM（SDR）、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥111.85420 | 1575 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111.85420 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥142.12283 | 347 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥142.12283 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO | ¥35.07170 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.07170 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP | ¥24.82442 | 5066 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.82442 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13） | ¥50.15398 | 301 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.15398 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC（13.97x11.43） | ¥51.66942 | 1531 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.66942 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2 | ¥106.00892 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.00892 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥57.59048 | 190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥57.59048 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥61.26724 | 414 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.26724 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13） | ¥62.78268 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.78268 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥65.66924 | 70 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.66924 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥89.84418 | 4908 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥89.84418 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥113.00299 | 259 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥113.00299 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥82.14497 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82.14497 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5) | ¥121.67298 | 663 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥121.67298 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5) | ¥127.90322 | 11275 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥127.90322 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13） | ¥96.48327 | 2976 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.48327 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥103.12236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥103.12236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥135.05491 | 2850 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥135.05491 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (10.5x13.5) | ¥125.50536 | 565 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥125.50536 | 立即购买 加入购物车 |