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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C256B-15PIN
AS7C256B-15PIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥35.95043

884

2-3 工作日

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合计: ¥35.95043

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AS4C64M16D1-6TIN
AS4C64M16D1-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥247.79107

96

2-3 工作日

- +

合计: ¥247.79107

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AS4C256M16D3LC-12BCNTR
AS4C256M16D3LC-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥80.75502

2142

2-3 工作日

- +

合计: ¥80.75502

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AS6C8016-55ZIN
AS6C8016-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥60.51623

1998

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.51623

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AS6C8008-55ZIN
AS6C8008-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥62.56526

3624

2-3 工作日

- +

合计: ¥62.56526

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AS4C64M16D3LB-12BIN
AS4C64M16D3LB-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥55.89998

202

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.89998

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AS4C256M16D3C-12BINTR
AS4C256M16D3C-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥87.63674

13075

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.63674

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AS4C256M16D3LC-12BINTR
AS4C256M16D3LC-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥300.52883

7865

2-3 工作日

- +

合计: ¥300.52883

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AS4C128M16D3LC-12BCN
AS4C128M16D3LC-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥65.85378

4533

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.85378

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AS7C256A-10JCN
AS7C256A-10JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥19.69122

94

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.69122

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AS7C3256A-10TIN
AS7C3256A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥20.55677

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.55676

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AS7C256A-10TIN
AS7C256A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥13.59523

9

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.59523

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AS4C4M16SA-6TCN
AS4C4M16SA-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥22.28786

34

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.28786

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AS4C128M16D3LC-12BIN
AS4C128M16D3LC-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥70.47003

12390

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.47003

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AS4C16M16D1A-5TCN
AS4C16M16D1A-5TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥26.39921

72

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.39921

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AS7C31024B-12TCN
AS7C31024B-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥17.67694

156

2-3 工作日

- +

合计: ¥17.67694

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AS4C64M16D3B-12BIN
AS4C64M16D3B-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥55.89998

264

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.89998

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AS4C256M16D3C-12BCN
AS4C256M16D3C-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥80.03287

29444

2-3 工作日

- +

合计: ¥80.03287

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AS4C256M16D3LC-12BCN
AS4C256M16D3LC-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥70.43974

5838

2-3 工作日

- +

合计: ¥70.43974

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AS4C256M16D4-83BCN
AS4C256M16D4-83BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥59.01731

3307

2-3 工作日

- +

合计: ¥59.01731

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