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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29GL256P10TFI010
S29GL256P10TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥94.87930

0

2-3 工作日

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合计: ¥94.87930

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CY7C1041GN30-10ZSXIT
CY7C1041GN30-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥34.39871

5208

2-3 工作日

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合计: ¥34.39871

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S29GL256P11FFI010
S29GL256P11FFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥72.57386

100

5-7 工作日

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合计: ¥72.57386

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S25FL128LAGMFI001
S25FL128LAGMFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥38.64667

103

2-3 工作日

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合计: ¥38.64667

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CY7C1565KV18-550BZXC
CY7C1565KV18-550BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥907.82509

143

5-7 工作日

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合计: ¥907.82509

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CY7C2265KV18-550BZXC
CY7C2265KV18-550BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥265.09014

10

5-7 工作日

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合计: ¥265.09014

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CY7C1482BV33-200BZI
CY7C1482BV33-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥889.28326

0

5-7 工作日

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合计: ¥889.28326

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S29AL008J70TFN010
S29AL008J70TFN010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥20.20769

0

5-7 工作日

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合计: ¥20.20769

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CY7C1399BN-12VXI
CY7C1399BN-12VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥18.03482

691

2-3 工作日

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合计: ¥18.03482

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S25FL128LAGBHI020
S25FL128LAGBHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥27.52302

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5-7 工作日

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合计: ¥27.52302

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S25FL256SAGMFM000
S25FL256SAGMFM000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥60.76563

29

2-3 工作日

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合计: ¥60.76563

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S25FL064LABNFI041
S25FL064LABNFI041
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-USON (4x4)

¥18.90397

5701

5-7 工作日

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合计: ¥18.90397

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CY7C1470BV33-250BZXC
CY7C1470BV33-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,473.78529

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,473.78529

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CY7C106B-20VCT
CY7C106B-20VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥6.44618

750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.91682

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CY7C131-55JCT
CY7C131-55JCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥33.82434

0

5-7 工作日

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合计: ¥33.82434

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S29GL01GS11FHI010
S29GL01GS11FHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥95.02685

572

5-7 工作日

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合计: ¥95.02685

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CY7C0831AV-133BBI
CY7C0831AV-133BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA(13x13)

¥1,147.20293

177

5-7 工作日

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合计: ¥2,294.40586

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CY7C1514KV18-250BZXI
CY7C1514KV18-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,518.18427

69

5-7 工作日

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合计: ¥1,518.18427

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S25FL127SABMFV100
S25FL127SABMFV100
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥29.55103

57

5-7 工作日

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合计: ¥29.55103

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CY7C25652KV18-500BZXC
CY7C25652KV18-500BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,326.70920

20

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合计: ¥2,326.70920

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