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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S25FL128SAGMFBG00
S25FL128SAGMFBG00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥35.20049

0

5-7 工作日

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合计: ¥35.20049

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S29GL512S10DHI010
S29GL512S10DHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥70.40099

111

5-7 工作日

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合计: ¥70.40099

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CY7C1625KV18-250BZXI
CY7C1625KV18-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (16M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥700.38843

40

5-7 工作日

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合计: ¥700.38843

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S29GL512S11DHI020
S29GL512S11DHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥70.40099

1300

5-7 工作日

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合计: ¥70.40099

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CY62168DV30LL-70BVI
CY62168DV30LL-70BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥33.38977

0

5-7 工作日

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合计: ¥333.89769

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S25FL256SAGBHIA00
S25FL256SAGBHIA00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥39.18409

0

5-7 工作日

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合计: ¥39.18409

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S29GL512S11DHIV10
S29GL512S11DHIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥70.40099

2334

5-7 工作日

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合计: ¥70.40099

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CY7C1041BN-15VI
CY7C1041BN-15VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥33.38977

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,001.69307

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S25FS256SAGBHI200
S25FS256SAGBHI200
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥39.18409

725

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.18409

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CY7C167A-35VC
CY7C167A-35VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (16K x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 20-SOJ

¥13.18208

0

5-7 工作日

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合计: ¥949.10962

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FM18W08-SGTR
FM18W08-SGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥71.82784

2347

2-3 工作日

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合计: ¥71.82784

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CY2147-55DC
CY2147-55DC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Kb (4K x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 18-CERDIP

¥33.38977

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,535.92937

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CY62148DV30L-70BVI
CY62148DV30L-70BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥13.18208

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥593.19351

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CY7C1021DV33-10VXIT
CY7C1021DV33-10VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥20.35183

1500

2-3 工作日

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合计: ¥20.35183

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CY7C1041G30-10BVJXI
CY7C1041G30-10BVJXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥53.16289

0

5-7 工作日

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合计: ¥53.16289

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CY7C1347C-200BGC
CY7C1347C-200BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥33.60706

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,545.92458

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CY7C188-35VC
CY7C188-35VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (32K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥35.92478

2021

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,191.41182

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S25FL128LAGNFI013
S25FL128LAGNFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥17.38296

4000

5-7 工作日

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合计: ¥1,825.21080

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CY7C1049CV33-12ZXC
CY7C1049CV33-12ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥1.16024

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥47.56984

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CY62157ESL-45ZSXI
CY62157ESL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

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