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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S34ML01G204TFI010
S34ML01G204TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥22.95999

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥275.51992

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S25FS064SAGNFV030
S25FS064SAGNFV030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (5x6)

¥23.03242

101146

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.03242

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CY7C199CN-20VC
CY7C199CN-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥7.67747

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.72514

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CY62256LL-55SNIT
CY62256LL-55SNIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥7.67747

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,865.62618

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CY7C1021BN-15ZI
CY7C1021BN-15ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.67747

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥383.87370

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CY7C1041BV33L-15ZC
CY7C1041BV33L-15ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥108.35378

876

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,275.42946

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CY7C1381C-100BGCT
CY7C1381C-100BGCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥110.74394

2500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,214.87882

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CY7C1051H30-10BVXI
CY7C1051H30-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥514.53562

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥514.53562

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S25FL256SAGMFB000
S25FL256SAGMFB000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥62.79594

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.79594

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S26KL128SDABHN020
S26KL128SDABHN020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥83.94521

678

5-7 工作日

- +

合计: ¥83.94521

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S26KL128SDABHN030
S26KL128SDABHN030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥83.94521

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83.94521

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CY7C136E-25JXI
CY7C136E-25JXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥49.97601

211

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.97601

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S70GL02GP11FAIR20
S70GL02GP11FAIR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8, 128M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥382.93212

19975

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,914.66062

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CY7C1335-75AC
CY7C1335-75AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥23.46700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥164.26897

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S25FL128SAGMFA003
S25FL128SAGMFA003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥23.20929

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33,653.47630

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CY7C1069DV33-10ZSXI
CY7C1069DV33-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥386.33629

4254

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,931.68143

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CY62158DV30LL-55BVIT
CY62158DV30LL-55BVIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥23.68428

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.95404

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S25FL128SDSMFA003
S25FL128SDSMFA003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥23.20929

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33,653.47630

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CY7C028V-20AXC
CY7C028V-20AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥386.33629

281

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,931.68143

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S29GL01GT11DHV023
S29GL01GT11DHV023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥110.01965

2200

5-7 工作日

- +

合计: ¥110.01965

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