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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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S29JL032J60TFI020
S29JL032J60TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥25.62748

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S29AL016J70FFI020
S29AL016J70FFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥13.61499

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CY7C057V-15AXC
CY7C057V-15AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(32K x 36) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥347.44191

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S25FS064SAGNFM033
S25FS064SAGNFM033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (5x6)

¥20.75091

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CY7C1021DV33-10ZSXI
CY7C1021DV33-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.58391

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S79FL512SDSMFBG01
S79FL512SDSMFBG01
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥86.62508

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CY7C09579V-100BBC
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(32K x 36) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 172-FBGA (15x15)

¥405.60240

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S29AL008J55BFIR20
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥11.89849

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CG5998AT
CG5998AT
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S25FS064SAGNFN030
S25FS064SAGNFN030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (5x6)

¥16.11965

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S25FS064SAGBHB020
S25FS064SAGBHB020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥18.94735

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CY7C1340F-100AC
CY7C1340F-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥23.90157

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S25FL128LAGNFA013
S25FL128LAGNFA013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥20.42498

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S29GL128S10WEI019
S29GL128S10WEI019
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Wafer

¥17.26888

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S27KL0641DABHI030
S27KL0641DABHI030
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥24.70227

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CY7C0852V-167BBC
CY7C0852V-167BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 172-FBGA (15x15)

¥440.36832

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S29AL016J70TFM010
S29AL016J70TFM010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥20.49705

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CY7C1370BV25-133BGC
CY7C1370BV25-133BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥111.32337

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S29AL008J55BFIR23
S29AL008J55BFIR23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥10.80684

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合计: ¥27,017.10250

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S25FS128SAGMFV103
S25FS128SAGMFV103
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥21.82365

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