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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C2270KV18-400BZXC
CY7C2270KV18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥166.51427

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥166.51427

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S25FL512SAGMFVG10
S25FL512SAGMFVG10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥71.84957

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.84957

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CY7C1354A-200AC
CY7C1354A-200AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥50.55544

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥404.44354

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CY7C1041BN-15VXIT
CY7C1041BN-15VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥32.30333

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥387.64001

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CY7C1041BV33-12VCT
CY7C1041BV33-12VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥35.12807

33000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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CY62146ELL-45ZSXI
CY62146ELL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥45.04867

4113

2-3 工作日

- +

合计: ¥45.04867

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CY7C1352G-133AXC
CY7C1352G-133AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥16.51381

298

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.51381

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S25FL064LABNFI010
S25FL064LABNFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥15.56282

1844

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.56282

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CY7C1041BN-15ZXIT
CY7C1041BN-15ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥32.30333

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.62671

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CY7C1021V33L-15BAC
CY7C1021V33L-15BAC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥35.12807

15768

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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S25FL256SAGNFB000
S25FL256SAGNFB000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥4.01461

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.01461

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CY7C1089DV33-12BAXI
CY7C1089DV33-12BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x9.5)

¥965.69586

408

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,897.08757

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CY7C1367B-166AI
CY7C1367B-166AI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥50.99002

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥611.88019

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CY7C1011CV33-15BVIT
CY7C1011CV33-15BVIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥35.12807

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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CY14B101PA-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥106.18091

5998

5-7 工作日

- +

合计: ¥106.18091

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CY7C1041BV33-15ZCT
CY7C1041BV33-15ZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥35.12807

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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S25FL128SAGMFI013
S25FL128SAGMFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥28.89917

1419

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.89917

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CG6123AAT
CG6123AAT
SPECIAL

¥51.06245

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,838.24802

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CY7C1338B-117BGC
CY7C1338B-117BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥35.12807

365

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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S29AL008J70BFI010
S29AL008J70BFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥15.13766

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合计: ¥15.13766

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