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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY14V101NA-BA25XI
CY14V101NA-BA25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥204.32221

12

5-7 工作日

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合计: ¥204.32221

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S25FL512SAGBHIS10
S25FL512SAGBHIS10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥68.59026

3330

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.59026

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CY7C1020B-12ZC
CY7C1020B-12ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥17.96239

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,778.27681

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S29GL128S10DHI020
S29GL128S10DHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥38.82194

0

5-7 工作日

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合计: ¥38.82194

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CY7C1513KV18-250BZI
CY7C1513KV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥375.83408

16

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- +

合计: ¥375.83408

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FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥159.99566

1370

5-7 工作日

- +

合计: ¥159.99566

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S29GL128S11DHIV20
S29GL128S11DHIV20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥38.82194

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.82194

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S29GL064N11TFIV70
S29GL064N11TFIV70
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥17.88996

1564

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,824.77623

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CY62126DV30LL-55ZXI
CY62126DV30LL-55ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥12.53022

178

5-7 工作日

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合计: ¥2,230.37863

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CY7C1480BV25-167AXC
CY7C1480BV25-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥1,341.96451

7

5-7 工作日

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合计: ¥1,341.96451

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S25FS128SAGMFI101
S25FS128SAGMFI101
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥45.66431

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2-3 工作日

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合计: ¥45.66431

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CY62256VLL-70SNCT
CY62256VLL-70SNCT
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

¥5.64946

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.64946

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CY14B101KA-ZS45XI
CY14B101KA-ZS45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥214.89684

100

5-7 工作日

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合计: ¥214.89684

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CY7B139-35JI
CY7B139-35JI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Kb (4K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.23x24.23)

¥210.04410

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,260.26460

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S26KS256SDGBHN030
S26KS256SDGBHN030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥126.46103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥126.46103

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S29GL128S90DHI010
S29GL128S90DHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥38.82194

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.82194

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CY7C1021V33L-12ZC
CY7C1021V33L-12ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.30336

0

2-3 工作日

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合计: ¥929.71834

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S29GL128S90FHI020
S29GL128S90FHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥38.82194

0

5-7 工作日

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合计: ¥38.82194

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CY7C1361C-133AXI
CY7C1361C-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥29.76832

49

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合计: ¥29.76832

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S26KS256SDPBHN020
S26KS256SDPBHN020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

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合计: ¥126.46103

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