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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C188-25VC
CY7C188-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (32K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥19.84555

922

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.01006

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CY62256NLL-70SNI
CY62256NLL-70SNI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥4.85274

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,824.63137

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S25FL164K0XBHI030
S25FL164K0XBHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥2.17287

66

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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CY62256NLL-70SNC
CY62256NLL-70SNC
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS

¥4.85274

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.85274

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FM1106-GA
FM1106-GA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 900 kHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.92517

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.92517

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CY7C1325A-117AC
CY7C1325A-117AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥32.59305

7246

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY62157DV30LL-70BVI
CY62157DV30LL-70BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥32.59305

4687

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY62167DV18LL-55BVI
CY62167DV18LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.25伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥32.59305

1082

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY62167DV20LL-55BVI
CY62167DV20LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥32.59305

120

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY7C1049BV33-12ZC
CY7C1049BV33-12ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥32.66548

1354

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.58709

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CY7C1049BV33-12ZCT
CY7C1049BV33-12ZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥32.66548

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.58709

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CY62146DV30LL-55BVI
CY62146DV30LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥32.81034

38969

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.29258

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CY7C1049CV33-10ZXIT
CY7C1049CV33-10ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥32.81034

1706

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.29258

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CY7C1041BV33-15VCT
CY7C1041BV33-15VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥33.17248

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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CY7C168A-35PC
CY7C168A-35PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (4K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 20-DIP

¥33.38977

14891

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.72475

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CY7C1041B-20ZXC
CY7C1041B-20ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥33.38977

215

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.72475

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CY7C264-25WC
CY7C264-25WC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥190.19855

12

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,282.38265

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S80KS2563GABHI020
S80KS2563GABHI020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥87.42180

318

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.42180

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CY7C1347B-166BGC
CY7C1347B-166BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥33.38977

388

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.72475

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S70GL02GT11FHI010
S70GL02GT11FHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8, 128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥190.41584

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥190.41584

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